Зондовая станция модели SEMISHARE FA-8 — это измерительная станция, специально разработанная для лабораторий по анализу отказов. Она оснащена превосходной механической системой, стабильной конструкцией и эргономичным дизайном, а также обладает возможностями модернизации и расширения функционала. Станция широко применяется в производстве и исследованиях интегральных схем, светодиодов, жидкокристаллических дисплеев, солнечных элементов, различных чипов и других промышленных областях.

Применение:
Анализ отказов микросхем/ЖК-дисплеев/OLED-дисплеев при различных температурах окружающей среды

Преимущества:
• Поддержка установки карточек с иглами для повышения эффективности тестирования.
• Возможность подъема и опускания патрона для быстрого разделения образцов и зондов.
• Стандартный металлографический микроскоп с возможностью тестирования подложки размером до 1 мкм.
• Регулировка подъема микроскопа с помощью воздушного управления.
• Многодиапазонное лазерное использование для быстрого переключения и точной резки.

Платформа:
• Размер и угол поворота - 8″, поворот на 360°;
• Диапазон перемещения X-Y - 8″ * 8″;
• Движущееся разрешение -1μm;
• Пример фиксированного режима - вакуумная адсорбция;
• Диапазон регулирования температуры–нет
• Быстрое извлечение–нет
• Электрическое проектирование - поверхность патрона электрическая плавающая с • переходником типа “банан”, может использоваться в качестве заднего электрода.

Микропозиционер:
• Диапазон перемещения: X-Y-Z: 12 мм -12 мм -12 мм / 8 мм - 8 мм - 8 мм;
• Механическое разрешение: 2μm / 0.7μm / 0.1μm;
• Точность утечки тока: coaxial 1pA/V @ 25 ℃; Three shaft 100fA/V @ 25 ℃; Triaxial 10pA@3kv @25°C;
• Условия испытания: сухая среда для заземляющего экрана (точка росы воздуха ниже -40°C);
• Банановая головка / зажим “Крокодил” / Коаксиальный / трехосный.

Микроскоп:
• Диапазон перемещения: X-Y: 2″x 2″, Z: 50.8 мм;
• Разрешение:1μm;
• Увеличение: 20 ~ 4000X;
• Операция переключения объектива: быстрый наклон;
• Пиксели CCD: 50W (Analog) / 200W (Digital) / 500W (Digital).

Лазер:
• Длина волны: выбираемая длина волны: 1064/532/355/266 нм;
• Выходная мощность: 0~2.2mJ/pulse;
• Возможность микрообработки: обрабатываемый материал: Cr / Al / ITO / Ni / TFT / RGB / поликремний / Mo / Si / CF с внутренними примесями и т.д.;
• Точность: минимальный обрабатываемый размер – 1*1 мкм (при использовании объектива 100X);
• Режим охлаждения: лазер с воздушным охлаждением или лазер с водяным охлаждением.

Пластина:
• U-образный валик, доступно 10 микропозиционеров;
• Режим перемещения и регулировки - валик можно быстро поднимать вверх и вниз на 6 мм с функцией автоматической фиксации, валик можно точно настраивать вверх и вниз на 25 мм с разрешением 1 мкм;